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晶圓代工大廠聯電今(23)日宣布再投資1.1億美元在新加坡打造12吋晶圓廠Fab12i，成為用於先進特殊技術研發製造的基地「Center of Excellence」，並與當地微電子研究院等機構密切合作。

這座晶圓廠主要用來開發背照式影像感測器（BSI CMOS）、嵌入式記憶體，以及用於3D IC封裝中的直通矽晶穿孔（TSV）連結等，應用於車用、行動、智慧型手機與平板電腦等日益龐大的產品市場，而聯電也預計今年內於Fab 12i廠增聘逾80名工程師。

聯電營運長陳文洋表示，擁有這座專為先進特殊技術研發與製造基地的12吋晶圓廠，將可促進許多新技術的及時問世，同時可讓聯電充分掌握跨入新市場的契機。

「我們之所以選擇新加坡，在於新加坡可提供豐富的工程人力資源以及完善的半導體產業架構，此外，新加坡健全的半導體產業環境，也可促成聯電未來與新加坡本地企業合作的機會。」

Fab 12i廠是聯電唯一位於台灣以外的12吋晶圓廠，現有月產能為近45,000片，佔聯電全公司12吋晶圓總產出的45%，而Fab 12i廠累積至今的投入金額為近美金36億元

不同於台積電與格羅方德陸續宣布加速更快的16及14奈米鰭式電晶體 (FinFET)量產時程，聯電今年仍以擴大40奈米營收比重為主要發展重點，不過28奈米發展也已規畫出相關時程。

從聯電第一季財報來看，營收來到277.8億元，毛利率16.2%，稅後純益65.9億元，每股獲利0.52元，展望後市，聯電認為半導體產業經過幾個月庫存調整後，需求已逐步回穩，第二季產能利用率預估可上升至八成。